AEC-Q100認證試驗第三方檢測機構(gòu)

簡要描述：

廣電計量AEC-Q100認證試驗第三方檢測機構(gòu)失效分析實驗室AEC-Q技術(shù)團隊，執(zhí)行過大量的AEC-Q測試案例，積累了豐富的認證試驗經(jīng)驗，可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認證試驗服務。

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更新日期：2025-08-30

價格：

詳細介紹

品牌	廣電計量	加工定制	是
服務區(qū)域	全國	服務周期	常規(guī)3-5天
服務類型	元器件篩選及失效分析	服務資質(zhì)	CMA/CNAS認可
證書報告	中英文電子/紙質(zhì)報告	增值服務	可加急檢測
是否可定制	是	是否有發(fā)票	是

AEC-Q100認證試驗第三方檢測機構(gòu)服務背景

IC作為重要的車載元器件部件，是AEC委員會持續(xù)關(guān)注的重點領(lǐng)域。AEC-Q100對IC的可靠性測試可細分為加速環(huán)境應力可靠性、加速壽命模擬可靠性、封裝可靠性、晶圓制程可靠性、電學參數(shù)驗證、缺陷篩查、包裝完整性試驗，且需要根據(jù)器件所能承受的溫度等級選擇測試條件。需要注意的是，第三方難以獨立完成AEC-Q100的驗證，需要晶圓供應商、封測廠配合完成，這更加考驗對認證試驗的整體把控能力。廣電計量將根據(jù)客戶的要求，依據(jù)標準對客戶的IC進行評估，出具合理的認證方案，從而助力IC的可靠性認證。

廣電計量失效分析實驗室AEC-Q技術(shù)團隊，執(zhí)行過大量的AEC-Q測試案例，積累了豐富的認證試驗經(jīng)驗，可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認證試驗服務。

AEC-Q100認證試驗第三方檢測機構(gòu)產(chǎn)品范圍

集成電路(IC)

測試周期

3-4個月，提供全面的認證計劃、測試等服務

測試項目

序號	測試項目	縮寫	樣品數(shù)/批	批數(shù)	測試方法
A組加速環(huán)境應力試驗
A1	Preconditioning	PC	77	3	J-STD-020、
A1	Preconditioning	PC	77	3	JESD22-A113
A2	Temperature-Humidity-Bias	THB	77	3	JESD22-A101
A2	Biased HAST	HAST	77	3	JESD22-A110
A3	Autoclave	AC	77	3	JESD22-A102
	Unbiased HAST	UHST			JESD22-A118
	Temperature-Humidity (without Bias)	TH			JESD22-A101
A4	Temperature Cycling	TC	77	3	JESD22-A104、Appendix 3
A5	Power Temperature Cycling	PTC	45	1	JESD22-A105
A6	High Temperature Storage Life	HSTL	45	1	JESD22-A103
B組加速壽命模擬試驗
B1	High Temperature Operating Life	HTOL	77	3	JESD22-A108
B2	Early Life Failure Rate	ELFR	800	3	AEC-Q100-008
B3	NVM Endurance, Data Retention, and Operational Life	EDR	77	3	AEC-Q100-005
C組封裝完整性測試
C1	Wire Bond Shear	WBS	最少5個器件中的30根鍵合線		AEC-Q100-001、AEC-Q003
C2	Wire Bond Pull	WBP			MIL-STD883 method 2011、
C2	Wire Bond Pull	WBP			AEC-Q003
C3	Solderability	SD	15	1	JESD22-B102或 J-STD-002D
C4	Physical Dimensions	PD	10	3	JESD22-B100、 JESD22-B108
C4	Physical Dimensions	PD	10	3	AEC-Q003
C5	Solder Ball Shear	SBS	至少10個器件的5個鍵合球	3	AEC-Q100-010、
C5	Solder Ball Shear	SBS	至少10個器件的5個鍵合球	3	AEC-Q003
C6	Lead Integrity	LI	至少5個器件的10根引線	1	JESD22-B105
D組晶圓制造可靠性測試
D1	Electromigration	EM	/	/	/
D2	Time Dependent Dielectric Breakdown	TDDB	/	/	/
D3	Hot Carrier Injection	HCI	/	/	/
D4	Negative Bias Temperature Instability	NBTI	/	/	/
D5	Stress Migration	SM	/	/	/
E組電學驗證測試
E1	Pre- and Post-Stress Function/Parameter	TEST	所有要求做電學測試的應力試驗的全部樣品		供應商或用戶規(guī)格
E2	Electrostatic Discharge Human Body Model	HBM	參考測試規(guī)范	1	AEC-Q100-002
E3	Electrostatic Discharge Charged Device Model	CDM	參考測試規(guī)范	1	AEC-Q100-011
E4	Latch-Up	LU	6	1	AEC-Q100-004
E5	Electrical Distributions	ED	30	3	AEC Q100-009
E5	Electrical Distributions	ED	30	3	AEC Q003
E6	Fault Grading	FG	-	-	AEC-Q100-007
E7	Characterization	CHAR	-	-	AEC-Q003
E9	Electromagnetic Compatibility	EMC	1	1	SAE J1752/3-輻射
E10	Short Circuit Characterization	SC	10	3	AEC-Q100-012
E11	Soft Error Rate	SER	3	1	JEDEC
					無加速：JESD89-1
					加速：JESD89-2或JESD89-3
E12	Lead (Pb) Free	LF	參考測試規(guī)范	參考測試規(guī)范	AEC-Q005
F組缺陷篩選測試
F1	Process Average Testing	PAT	/	/	AEC-Q001
F2	Statistical Bin/Yield Analysis	SBA	/	/	AEC-Q002
G組密封封裝完整性測試
G1	Mechanical Shock	MS	15	1	JESD22-B104
G2	Variable Frequency Vibration	VFV	15	1	JESD22-B103
G3	Constant Acceleration	CA	15	1	MIL-STD883 Method 2001
G4	Gross/Fine Leak	GFL	15	1	MIL-STD883 Method 1014
G5	Package Drop	DROP	5	1	/
G6	Lid Torque	LT	5	1	MIL-STD883 Method 2024
G7	Die Shear	DS	5	1	MIL-STD883 Method 2019
G8	Internal Water Vapor	IWV	5	1	MIL-STD883 Method 1018